碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)，晶體軸向中心與邊緣的生長(zhǎng)界面的“環(huán)境”不同，使邊緣的晶體應(yīng)力徒增，且晶體邊緣由于石墨檔環(huán)"碳”的影響，容易產(chǎn)生“綜合缺陷”，如何解決邊緣問題或增加中心有效面積（95%以上）是重要的技術(shù)課題。

隨著“微管”“包裹物”等宏觀缺陷逐漸被行業(yè)控制，挑戰(zhàn)碳化硅晶體“長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚、長(zhǎng)大”，邊緣“綜合缺陷”就異常突顯，隨著碳化硅晶體直徑、厚度的增加，邊緣“綜合缺陷”會(huì)以直徑平方及厚度成倍數(shù)增加。

采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題，提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量，是“長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚、長(zhǎng)大”的核心技術(shù)方向之一。為了推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展，解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴，恒普突破性解決了碳化鉭涂層技術(shù)（CVD），達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

碳化鉭TaC涂層，從實(shí)現(xiàn)的角度并不困難，用燒結(jié)、CVD等方法都容易實(shí)現(xiàn)。燒結(jié)法，采用碳化鉭粉或前驅(qū)體，添加活化成分（一般為金屬）和粘接劑（一般為長(zhǎng)鏈高分子），涂覆到石墨基材表面高溫?zé)Y(jié)。CVD法，采用TaCl5+H2+CH4，在900-1500℃，沉積到石墨基體表面。

但碳化鉭沉積的晶向，膜厚均勻、涂層與石墨基體的應(yīng)力釋放、表面裂紋等基礎(chǔ)參數(shù)，卻極具挑戰(zhàn)。特別是能在sic晶體生長(zhǎng)環(huán)境下，有穩(wěn)定的使用壽命是核心參數(shù)，是最難點(diǎn)。

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